Il reticle (o fotomaschera) è la maschera che contiene il disegno del circuito e che viene proiettata sul wafer tramite luce (DUV o EUV). Lo scanner litografico non espone tutto il wafer in un colpo solo: espone un’area alla volta, il reticle field, e poi si sposta al campo successivo (step-and-scan), come una stampa a timbro ripetuta.
Il reticle limit è la dimensione massima di quell’area, imposta dall’ottica dello scanner. Con gli scanner attuali è di circa 26 mm × 33 mm ≈ 858 mm². Un singolo die non può essere più grande di questo campo, quindi nessun chip “normale” supera circa 850 mm².
Con la High-NA EUV il campo si dimezza (circa 26 × 16,5 mm ≈ 429 mm²), a causa dell’ottica anamorfica. Per chip grandi serve quindi “cucire” due esposizioni, oppure usare più die.